منابع مشابه
بهینه سازی پارامترهای plasma etchingجهت زدایش لایه هایsiو sio2و فوتورزیست
از دلایل توسعه پذیر بودن روشهای رسوب بخار شیمیایی (cvd) ، می توان به توان تولید لایه هایی با تنوع زیاد، به صورت فلز و هم چنین نیمه رسانا و نیز لایه هایی با ترکیبات آلی و غیر آلی و دارای خواص مطلوب را اشاره کرد.در این پروژه دو روش کلی زدایش یا همان سونش خشک و تر مقایسه شده است چرا که صنایع الکترونیک نیازمند روش جدیدی می باشند که علاوه بر اینکه میزان آلودگی آن کم باشد به محیط زیست نیز آسیب نرساند...
15 صفحه اولذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: Physics Letters B
سال: 2003
ISSN: 0370-2693
DOI: 10.1016/s0370-2693(02)03149-0